導師(shi)姓名

鄭安生

性(xing)別

男

出生年月

1962年5月

所(suo)在室所(suo)

稀土材料國(guo)家工程(cheng)研究中心

技術職稱

教授(shou)級高級工程師(shi)

招生(sheng)專業(ye)

材料(liao)科(ke)學與工(gong)程

聯系(xi)電話

13370118522

E-mail

zhas@grieom.com

研究方向(xiang)

1. 半(ban)導體材料(liao)研究(jiu)

2. 紅外(wai)光學材(cai)料研究

個人(ren)簡(jian)況

教授級(ji)高工(gong)(gong)(gong)，享受政府特殊津貼專家(jia)。1983年畢(bi)業(ye)于蘭州大學(xue)(xue)金(jin)屬(shu)物(wu)理(li)專業(ye)，1988年畢(bi)業(ye)于蘭州大學(xue)(xue)材料學(xue)(xue)系(xi)固體物(wu)理(li)專業(ye)，獲碩(shuo)士學(xue)(xue)位，同年進入北京有色金(jin)屬(shu)研(yan)究(jiu)總院工(gong)(gong)(gong)作。曾任國家(jia)半導體材料工(gong)(gong)(gong)程研(yan)究(jiu)中心副主(zhu)任，有研(yan)光電(dian)新材料有限責(ze)任公司(si)總經理(li)。

鄭安生(sheng)長期從(cong)事化合物半(ban)導體材料的研(yan)(yan)究開(kai)發(fa)(fa)工(gong)作(zuo)，是(shi)我(wo)國半(ban)導體材料專(zhuan)(zhuan)家(jia)(jia)，國家(jia)(jia)科(ke)學技(ji)術部(bu)技(ji)術審查(cha)專(zhuan)(zhuan)家(jia)(jia)。先后(hou)承擔國家(jia)(jia)863計(ji)劃、科(ke)技(ji)支撐(cheng)計(ji)劃、國家(jia)(jia)高(gao)技(ji)術產業化示范工(gong)程項目10多(duo)項。在國內首家(jia)(jia)研(yan)(yan)制(zhi)出(chu)(chu)Φ2”和(he)Φ3” HB-GaAs晶(jing)(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)，并形成(cheng)了(le)大(da)(da)(da)規模生(sheng)產，成(cheng)為世界最大(da)(da)(da)的HB-GaAs晶(jing)(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)供應(ying)(ying)商。在國內首家(jia)(jia)研(yan)(yan)制(zhi)出(chu)(chu)N型(xing)(xing)摻Te GaSb晶(jing)(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)和(he)P型(xing)(xing)摻Zn GaSb晶(jing)(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)，為我(wo)國2-4um波段激光(guang)器(qi)(qi)和(he)探測(ce)器(qi)(qi)的研(yan)(yan)發(fa)(fa)做出(chu)(chu)巨大(da)(da)(da)貢獻。在國內首家(jia)(jia)研(yan)(yan)制(zhi)出(chu)(chu)Φ2”、Φ2.5” GaP和(he)InAs晶(jing)(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)，GaP晶(jing)(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)形成(cheng)了(le)大(da)(da)(da)規模生(sheng)產，成(cheng)為世界第(di)三大(da)(da)(da)供應(ying)(ying)商。先后(hou)獲部(bu)級(ji)科(ke)研(yan)(yan)成(cheng)果5項，授權專(zhuan)(zhuan)利(li)8項，在國內外核心期刊上(shang)發(fa)(fa)表論(lun)文約40篇，專(zhuan)(zhuan)著和(he)譯著各(ge)1部(bu)。獲部(bu)級(ji)科(ke)技(ji)進步一等(deng)獎(jiang)1項，二等(deng)獎(jiang)1項，三等(deng)獎(jiang)3項。